SAMSUNG 4TB 990 EVO PLUS MZ-V9S4T0BW 7250-6300MB/s M2 NVME GEN4 DİSK
En önemli 3 özellik
Performans
7.250 MB/sn’ye varan sıralı okuma hızıyla önceki modelden %45 daha hızlı performans.
Enerji verimliliği
%73 daha iyi enerji verimliliği ile performansı ve ısı kontrolünü korurken watt başına daha fazla MB/sn işler.
Çok yönlülük
Genişletilmiş Turbo Yazdırma alanıyla 4 TB’ye varan artırılmış kapasite ve hızlı Akıllı Turbo Yazdırma 2.0.
Her gün olağanüstü hız
Görevleri çok daha hızlı tamamlayın. En yeni NAND destekli 990 EVO Plus, 7.250/6.300 MB/sn ile daha yüksek sıralı okuma/yazma hızı sunar. Büyük dosyaları hızlıca aktarır.
Gün boyunca soğutucu etki
Optimize verimlilik, artırılmış performans. Nikel kaplamalı denetleyici, Watt başına MB/sn oranını %73 artırarak daha az enerjiyle aynı güç seviyesine ulaşır ve ısı kontrolü sağlar. Aşırı ısınma veya pil ömrü konusunda endişe duymadan işlerinize veya oyununuza odaklanın.
Ekstra alan. Ekstra hız.
Geliştirilmiş Akıllı Turbo Yazdırma 2.0 ile sürücünüzün tüm performansını ortaya çıkarın. Şimdi 4 TB kapasiteyle sunulan genişletilmiş Turbo Yazdırma alanı sayesinde büyük verileri daha hızlı işleyin ve detaylı grafiklerle çalışmanın keyfini çıkarın.
Samsung Magician yazılımı
SSD’nize sihirli bir dokunuş katın. Samsung Magician yazılımının optimizasyon araçları, en yüksek SSD performansına ulaşmanızı sağlar. Bu, tüm verilerinizi bir Samsung SSD’ye taşımanın güvenli ve kolay yoludur. Değerli verileri koruyun, sürücü sağlığını izleyin ve en son aygıt yazılımı güncellemelerini alın.
* Detaylı bilgi için Samsung Magician yazılımı web sitesini ziyaret edin: https://semiconductor.samsung.com/consumer-storage/magician/
Yenilikleri hayata geçirin
Samsung NAND flash bellek, günlük hayatımızı her yönden değiştiren, çığır açan teknolojileri onlarca yıldır destekliyor. NAND flash teknolojisi geleceğe yönelik yenilikler için de alan sağlayarak tüketici sınıfı SSD’lerimize de güç katıyor.
-
Uygulama
Client PCs
-
Arabirim
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
-
Boyutlar (GxYxD)
En fazla 80,15 x En fazla 22,15 x En fazla 2,38 mm
-
Ağırlık
En fazla 9,0 g Ağırlık
-
Performans
7.250 MB/sn’ye kadar * Performans, sistem donanımı ve yapılandırmaya bağlı olarak değişebilir.
-
Sıralı Yazma
6.300 MB/sn’ye kadar * Performans, sistem donanımı ve yapılandırmaya bağlı olarak değişebilir.
-
Uygulama
Client PCs
-
Kapasite
4.000 GB (1 GB=1 Milyar bayt (IDEMA)) * Esas kullanılabilir kapasite daha az olabilir (biçimlendirme, bölümlendirme, işletim sistemi, uygulamalar veya diğer nedenlerle)
-
Tip
M.2 (2280)
-
Arabirim
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
-
Boyutlar (GxYxD)
En fazla 80,15 x En fazla 22,15 x En fazla 2,38 mm
-
Ağırlık
En fazla 9,0 g Ağırlık
-
Depolama Belleği
Samsung V-NAND TLC
-
Kontrolör
Samsung dahili Denetleyici
-
Ön Bellek
HMB(Host Memory Buffer)
-
TRIM Desteği
Destekleniyor
-
S.M.A.R.T Desteği
Destekleniyor
-
GC (Çöp Toplama)
Otomatik Çöp Toplama Algoritması
-
Şifreleme Desteği
AES 256-bit Şifreleme (0 Sınıfı)TCG/Opal IEEE1667 (Şifreli sürücü)
-
WWN Desteği
Desteklenmiyor
-
Cihaz Uyku Modu Desteği
Evet
-
Sıralı Okuma
7.250 MB/sn’ye kadar * Performans, sistem donanımı ve yapılandırmaya bağlı olarak değişebilir.
-
Sıralı Yazma
6.300 MB/sn’ye kadar * Performans, sistem donanımı ve yapılandırmaya bağlı olarak değişebilir.
-
Rastgele Okuma (4 KB, QD32)
1.050.000 IOPS ye kadar * Performans, sistem donanımı ve yapılandırmaya bağlı olarak değişebilir.
-
Rastgele Yazma (4 KB, QD32)
1.400.000 IOPS ye kadar * Performans, sistem donanımı ve yapılandırmaya bağlı olarak değişebilir.
-
Ortalama Enerji Tüketimi (sistem seviyesi)
Ortalama: Okuma 5,5 W / Yazma 4,8 W* Gerçek güç tüketimi, sistem donanımı ve yapılandırmaya bağlı olarak değişebilir.
-
Güç Tüketimi (Boştayken)
Normal 60 mW * Gerçek güç tüketimi, sistem donanımı ve yapılandırmaya bağlı olarak değişebilir.
-
Power Consumption (Device Sleep)
Normal 5 mW * Gerçek güç tüketimi, sistem donanımı ve yapılandırmaya bağlı olarak değişebilir.
-
İzin Verilen Voltaj
3,3 V ± %5 İzin verilebilir voltaj
-
Güvenilirlik (MTBF değeri)
1,5 Milyon Saat Güvenilirlik (MTBF)
-
Çalışma Sıcaklığı
0 - 70 ℃ Çalışma Sıcaklığı
-
Darbe
1.500 G ve 0,5 ms (Yarım sinüs
| Bellek Kapasitesi | : | 4 TB |
| Bağlantı Tipi | : | NVMe M.2 |